NovuSem FET-ek, MOSFET-ek

találatból : 3
Készletállapot
Környezetvédelem
Média
Kizárás
3találatból
Bekapcsolt szűrők Összes törlése
Megjelenítve:
, összesen: 3
Gyártói cikkszám
ELÉRHETŐ MENNYISÉG
Ár
Sorozat
Csomagolás
Termékállapot
FET típusa
Technológia
Drain-source feszültség (Udss)
Drain áram (Id) 25°C-on
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
Rds On (max.) / Id, Ugs
Ugs(th) (Max) / Id
Ugs (Max)
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
Teljesítményveszteség (max.)
Üzemi hőmérséklet
Rögzítés módja
Gyártói tokozás
Tokozás
NC1M120C12WDCU
NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
NovuSem
218
Marketplace
218 : 21 420,99518 Ft
Tálca
Tálca
Aktív
-
SiCFET (szilícium-karbid)
1200 V
214A (Tc)
20V
12mOhm / 20A, 20V
3,5V / 40mA
+22V, -8V
8330 pF @ 1000 V
-
-
Felületszerelt
Érintkezőlemez
Stancoló
NC1M120C12WCNG
NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
NovuSem
218
Marketplace
218 : 15 687,80422 Ft
Tálca
Tálca
Aktív
-
SiCFET (szilícium-karbid)
-
214A (Tc)
20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NC1M120C12HTNG
NC1M120C75HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
NovuSem
0
Marketplace
Aktív
Csőtár
Aktív
N csatornás
SiCFET (szilícium-karbid)
1200 V
47A (Tc)
20V
75mohm / 20A, 20V
2,8V / 5mA
+20V, -5V
1450 pF @ 1000 V
288W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Furatszerelt
TO-247-4L
TO-247-4
Megjelenítve:
, összesen: 3

Egyszerű FET, MOSFET

Az egyszerű térvezérelt tranzisztorok (FET, Field-Effect Transistor) és a fém-oxid záróréteges térvezérelt tranzisztorok (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) az elektronikus jelek erősítésére, illetve kapcsolására használt tranzisztortípusok.

Az egyszerű FET úgy működik, hogy a villanyáramnak a forrás (source, S) és a nyelő (drain, D) elektróda közötti folyását a kapu (gate, G) elektródára adott feszültség által létrehozott elektromos tér révén szabályozza. A FET-ek fő előnye a nagy bemeneti impedanciájuk, ami a jelerősítésben és az analóg áramkörökben való használatra ideális. Széles körben használják őket olyan felhasználási területeken, mint az erősítők és az oszcillátorok, valamint az elektronikus áramkörök pufferfokozatai.

A MOSFET a FET-ek altípusa, a kapu elektródát egy vékony oxidréteg szigeteli el a csatornától, ami növeli a MOSFET-ek teljesítményét, és kiváló hatásfokúvá teszi őket. A MOSFET-ek két altípusba sorolhatók:

A MOSFET-eket számos felhasználási területen előnyben részesítik kis fogyasztásuk, gyors kapcsolásuk és nagy áramok és feszültségek kezelésére való képességük miatt. Alapvető fontosságúak a digitális és analóg áramkörökben, beleértve a tápegységeket, a villanymotor-vezérlőket és a rádiófrekvenciás készülékeket.

A MOSFET-ek kétféle üzemmódúak lehetnek:

  • Növekményes üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben zárva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A nyitáshoz pozitív (n csatornás MOSFET) vagy negatív (p csatornás MOSFET) kapu–forrás feszültségre van szükség.
  • Kiürítéses üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben nyitva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A kiürítéses MOSFET ellentétes polaritású kapu–forrás feszültséget ráadva zárható le.

A MOSFET-ek számos előnyt kínálnak, például az alábbiakat:

  1. Jó hatásfok: nagyon kicsi a fogyasztásuk, és gyorsan képesek állapotot váltani, így rendkívül jó hatásfokúak a feszültségszabályozó eszközökben.
  2. Kis nyitóirányú ellenállás: nyitott állapotban kicsi az ellenállásuk, ami minimálisra csökkenti a veszteséget és a hőtermelést.
  3. Nagy bemeneti impedancia: az, hogy a kialakításnál fogva a kapu szigetelve van, rendkívül nagy bemeneti impedanciát eredményez, így a MOSFET-ek ideálisak a nagy impedanciájú jelerősítéshez.

Összefoglalva: az egyszerű FET-ek és még inkább a MOSFET-ek a korszerű elektronikában nélkülözhetetlen alkatrészek, amelyek hatásfokukról, kapcsolási sebességükről és sokoldalúságukról ismertek, és számtalan felhasználási területen használják őket a kis energiájú jelek erősítésétől a nagy energiájú jelek kapcsolásán át a vezérlésig.