Name: SQM120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
Price: 1999.1578 HUF
Availability: InStock

SQM120N10-3M8_GE3
DigiKey raktári szám	SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SQM120N10-3M8_GE3
Leírás	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Gyártói standard átfutási idő	23 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 120A (Tc) 375W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SQM120N10-3M8_GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	100 V
Drain áram (Id) 25°C-on	120A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	3,8mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	190 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	7230 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	375W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	TO-263 (D2PAK)
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	SQM120

Egységár áfa nélkül:	1 574,14000 Ft
Egységár áfával:	1 999,15780 Ft

SQM120N10-3M8_GE3