Name: SQJQ510ER-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ510ER-T1_GE3TR-ND
Price: 1971.8274 HUF
Availability: InStock

Új termék

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SQJQ510ER-T1_GE3
DigiKey raktári szám	742-SQJQ510ER-T1_GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SQJQ510ER-T1_GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SQJQ510ER-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SQJQ510ER-T1_GE3
Leírás	N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Gyártói standard átfutási idő	39 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 225A (Tc) 214W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 8 x 8
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 3,3V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 132 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET®	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 10887 pF @ 25 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 214W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Típusjelölés autóipar
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Minősítés AEC-Q101
Drain áram (Id) 25°C-on 225A (Tc)	Rögzítés módja Felületszerelt
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Gyártói tokozás PowerPAK® 8 x 8
Rds On (max.) / Id, Ugs 1,86mOhm / 20A, 10V	Tokozás 8-SMD, sirályszárnyas