Name: SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND
Price: 1678.9908 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SQJQ410EL-T1_GE3
DigiKey raktári szám	SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SQJQ410EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SQJQ410EL-T1_GE3
Leírás	MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Gyártói standard átfutási idő	23 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Felületszerelt PowerPAK® 8 x 8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SQJQ410EL-T1_GE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 150 nC @ 10 V
Gyrt. Vishay Siliconix	Ugs (Max) ±20V
Sorozat TrenchFET®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 7350 pF @ 25 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 136W (Tc)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 135A (Tc)	Gyártói tokozás PowerPAK® 8 x 8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Tokozás PowerPAK® 8 x 8
Rds On (max.) / Id, Ugs 3,4mohm / 20A, 10V	Alap típusszám SQJQ410
Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 250µA