Name: SQJ858AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 737.9716 HUF
Availability: InStock

SQJ858AEP-T1_GE3
DigiKey raktári szám	SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SQJ858AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SQJ858AEP-T1_GE3
Leírás	MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Gyártói standard átfutási idő	23 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 40 V 58A (Tc) 48W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SQJ858AEP-T1_GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	40 V
Drain áram (Id) 25°C-on	58A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	6,3mohm / 14A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	55 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2450 pF @ 20 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	48W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8
Tokozás	PowerPAK® SO-8
Alap típusszám	SQJ858

Egységár áfa nélkül:	581,08000 Ft
Egységár áfával:	737,97160 Ft

SQJ858AEP-T1_GE3