Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 976.1601 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SQ4949EY-T1_GE3
DigiKey raktári szám	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SQ4949EY-T1_GE3
Leírás	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Gyártói standard átfutási idő	24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	MOSFET tömb 30V 7,5A (Tc) 3,3W Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET- és MOSFET-tömbök	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 30nC / 10V
Gyártó Vishay Siliconix	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1020pF / 25V
Sorozat TrenchFET®	Max. teljesítmény 3,3W
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Alkatrész státusza Aktív	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Konfiguráció 2 P csatornás (dupla)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 30V	Tokozás 8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Drain áram (Id) 25°C-on 7,5A (Tc)	Gyártói tokozás 8-SOIC
Rds On (max.) / Id, Ugs 35mohm / 5,9A, 10V	Alap típusszám SQ4949
Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 250µA