Name: SISS32ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS32ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 940.7017 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SISS32ADN-T1-GE3
DigiKey raktári szám	742-SISS32ADN-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SISS32ADN-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SISS32ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SISS32ADN-T1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 1212-8S
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 3,6V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 36 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET® Gen IV	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1520 pF @ 40 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 5W (Ta), 65,7W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Gyártói tokozás PowerPAK® 1212-8S
Drain áram (Id) 25°C-on 17,4A (Ta), 63A (Tc)	Tokozás PowerPAK® 1212-8S
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Alap típusszám SISS32
Rds On (max.) / Id, Ugs 7,3mohm / 10A, 10V