Name: SISH625DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH625DN-T1-GE3TR-ND
Price: 460.7433 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SISH625DN-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SISH625DN-T1-GE3
Leírás	MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	22 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 1212-8SH
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 126 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET®	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 4427 pF @ 15 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 3,7W (Ta), 52W (Ta)
FET típusa P-csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 30 V	Gyártói tokozás PowerPAK® 1212-8SH
Drain áram (Id) 25°C-on 17,3A (Ta), 35A (Tc)	Tokozás PowerPAK® 1212-8SH
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Alap típusszám SISH625
Rds On (max.) / Id, Ugs 7mohm / 15A, 10V

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 14 372

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)