
SISF04DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | SISF04DN-T1-GE3 |
Leírás | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
Gyártói standard átfutási idő | 55 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | MOSFET tömb 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 1212-8SCD |
Adatlap | Adatlap |
EDA / CAD modellek | SISF04DN-T1-GE3 modellek |
Kategória | Ugs(th) (Max) / Id 2,3V / 250µA |
Gyártó Vishay Siliconix | Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 60nC / 10V |
Sorozat | Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2600pF / 15V |
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel® | Max. teljesítmény 5,2W (Ta), 69,4W (Ta) |
Alkatrész státusza Aktív | Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technológia MOSFET (fémoxid) | Rögzítés módja Felületszerelt |
Konfiguráció 2 N-csatornás (dupla) közös drain | Tokozás PowerPAK® 1212-8SCD |
Drain-source feszültség (Udss) 30V | Gyártói tokozás PowerPAK® 1212-8SCD |
Drain áram (Id) 25°C-on 30A (Ta), 108A (Tc) | Alap típusszám |
Rds On (max.) / Id, Ugs 4mohm / 7A, 10V |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 658,41000 Ft | 658,41 Ft |
| 10 | 420,65200 Ft | 4 206,52 Ft |
| 100 | 284,24470 Ft | 28 424,47 Ft |
| 500 | 225,84114 Ft | 112 920,57 Ft |
| 1 000 | 207,05813 Ft | 207 058,13 Ft |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 3 000 | 183,21511 Ft | 549 645,33 Ft |
| 6 000 | 171,21943 Ft | 1 027 316,58 Ft |
| 9 000 | 165,11117 Ft | 1 486 000,53 Ft |
| 15 000 | 162,27845 Ft | 2 434 176,75 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 658,41000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 836,18070 Ft |











