Name: SIS427EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 464.0834 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIS427EDN-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SIS427EDN-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SIS427EDN-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIS427EDN-T1-GE3
Leírás	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 30 V 50A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 1212-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIS427EDN-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	50A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	10,6mohm / 11A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	66 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±25V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1930 pF @ 15 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	3,7W (Ta), 52W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® 1212-8
Tokozás	PowerPAK® 1212-8
Alap típusszám	SIS427

A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 14 812

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)