N csatornás 30 V 100A (Tc) 104W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIRA00DP-T1-RE3

DigiKey raktári szám
SIRA00DP-T1-RE3-ND - Szalag tekercsen (TR)
Gyártó
Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám
SIRA00DP-T1-RE3
Leírás
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Gyártói standard átfutási idő
55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 30 V 100A (Tc) 104W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Vishay Siliconix
Sorozat
TrenchFET®
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)
30 V
Drain áram (Id) 25°C-on
100A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs
1mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id
2,2V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
220 nC @ 10 V
Ugs (Max)
+20V, -16V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
11700 pF @ 15 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
104W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
PowerPAK® SO-8
Tokozás
PowerPAK® SO-8
Alap típusszám
SIRA00
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Megrendelhető
Ellenőrizze az átfutási időt.
Ezt a terméket nem tartjuk raktáron. A feltüntetett átfutási idő a gyártótól a raktárunkba történő beérkezésre vonatkozik. A termék beérkezését követően annak kiküldése megtörténik a nyitott megrendeléseknek megfelelően.
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Szalag tekercsen (TR)
Mennyiség Egységár Részösszeg
3 000227,11764 Ft681 352,92 Ft
6 000223,20209 Ft1 339 212,54 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Egységár áfa nélkül:227,11764 Ft
Egységár áfával:288,43940 Ft
Ez is érdekelheti
1 árucikk
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

932,04000 Ft