Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 1050.3408 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIR878BDP-T1-RE3
DigiKey raktári szám	SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIR878BDP-T1-RE3
Leírás	MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 12A (Ta), 42,5A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIR878BDP-T1-RE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 3,4V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 38 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET® Gen IV	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1850 pF @ 50 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 5W (Ta), 62,5W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Gyártói tokozás PowerPAK® SO-8
Drain áram (Id) 25°C-on 12A (Ta), 42,5A (Tc)	Tokozás PowerPAK® SO-8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Alap típusszám SIR878
Rds On (max.) / Id, Ugs 14,4mohm / 15A, 10V