Name: SIR5607DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5607DP-T1-RE3TR-ND
Price: 1487.6526 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIR5607DP-T1-RE3
DigiKey raktári szám	742-SIR5607DP-T1-RE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIR5607DP-T1-RE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIR5607DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIR5607DP-T1-RE3
Leírás	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 60 V 22,2A (Ta), 90,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 7mohm / 20A, 10V
Gyrt. Vishay Siliconix	Ugs(th) (Max) / Id 2,6V / 250µA
Sorozat TrenchFET®	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 112 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 5020 pF @ 30 V
FET típusa P-csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 6,25W (Ta), 104W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 60 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 22,2A (Ta), 90,9A (Tc)	Gyártói tokozás PowerPAK® SO-8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Tokozás PowerPAK® SO-8