Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 2737.1294 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIJK5100E-T1-GE3
DigiKey raktári szám	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIJK5100E-T1-GE3
Leírás	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Felületszerelt PowerPAK®10 x 12
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIJK5100E-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 1,4mohm / 80A, 10V
Gyrt. Vishay Siliconix	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA
Sorozat TrenchFET®	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 200 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 11480 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 17W (Ta), 536W (Tc)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 74A (Ta), 417A (Tc)	Gyártói tokozás PowerPAK®10 x 12
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Tokozás 8-PowerBSFN