Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 2456.0022 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIJH112E-T1-GE3
DigiKey raktári szám	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIJH112E-T1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Felületszerelt PowerPAK® 8 x 8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIJH112E-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 160 nC @ 10 V
Gyrt. Vishay Siliconix	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 8050 pF @ 50 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Gyártói tokozás PowerPAK® 8 x 8
Drain áram (Id) 25°C-on 23A (Ta), 225A (Tc)	Tokozás 8-TDFN
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,8mohm / 20A, 10V	Alap típusszám SIJH112
Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA