Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1265.0978 HUF
Availability: InStock

SIJ4819DP-T1-GE3
DigiKey raktári szám	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIJ4819DP-T1-GE3
Leírás	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIJ4819DP-T1-GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	80 V
Drain áram (Id) 25°C-on	11,5A (Ta), 44,4A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	20,7mohm / 10A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,6V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	65 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	3420 pF @ 40 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	5W (Ta), 73,5W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8
Tokozás	PowerPAK® SO-8

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
3 000	299,37944 Ft	898 138,32 Ft
6 000	285,15988 Ft	1 710 959,28 Ft

Egységár áfa nélkül:	996,14000 Ft
Egységár áfával:	1 265,09780 Ft

SIJ4819DP-T1-GE3