SIHH105N60EF-T1GE3
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIHH21N65E-T1-GE3

DigiKey raktári szám
SIHH21N65E-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR)
Gyártó
Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám
SIHH21N65E-T1-GE3
Leírás
MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8
Gyártói standard átfutási idő
25 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 20,3A (Tc) 156W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 8 x 8
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Vishay Siliconix
Sorozat
-
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Drain áram (Id) 25°C-on
20,3A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max.) / Id, Ugs
170mohm / 11A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id
4V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
99 nC @ 10 V
Ugs (Max)
±30V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
2404 pF @ 100 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
156W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
PowerPAK® 8 x 8
Tokozás
8-TDFN
Alap típusszám
SIHH21
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Megrendelhető
Ellenőrizze az átfutási időt.
Ezt a terméket nem tartjuk raktáron. A feltüntetett átfutási idő a gyártótól a raktárunkba történő beérkezésre vonatkozik. A termék beérkezését követően annak kiküldése megtörténik a nyitott megrendeléseknek megfelelően.
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Szalag tekercsen (TR)
Mennyiség Egységár Részösszeg
3 000995,27344 Ft2 985 820,32 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Egységár áfa nélkül:995,27344 Ft
Egységár áfával:1 263,99727 Ft