N csatornás 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Ta) Felületszerelt TO-252AA
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIHD2N80AE-GE3

DigiKey raktári szám
742-SIHD2N80AE-GE3-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
SIHD2N80AE-GE3
Leírás
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Gyártói standard átfutási idő
24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Ta) Felületszerelt TO-252AA
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Sorozat
Csomagolás
Csőtár
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
Technológia
Drain-source feszültség (Udss)
800 V
Drain áram (Id) 25°C-on
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max.) / Id, Ugs
2,9ohm / 500mA, 10V
Ugs(th) (Max) / Id
4V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
10.5 nC @ 10 V
Ugs (Max)
±30V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
180 pF @ 100 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
62,5W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
TO-252AA
Tokozás
Alap típusszám
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 1 559
A további beérkező áruk ellenőrzése
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
1578,01000 Ft578,01 Ft
10367,71000 Ft3 677,10 Ft
100246,66710 Ft24 666,71 Ft
500194,78188 Ft97 390,94 Ft
1 000178,08734 Ft178 087,34 Ft
3 000156,89481 Ft470 684,43 Ft
6 000146,22988 Ft877 379,28 Ft
12 000137,26823 Ft1 647 218,76 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:578,01000 Ft
Egységár áfával:734,07270 Ft