N csatornás 600 V 19A (Tc) 156W (Ta) Felületszerelt DPAK
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIHD180N60E-GE3

DigiKey raktári szám
SIHD180N60E-GE3-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
SIHD180N60E-GE3
Leírás
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Gyártói standard átfutási idő
15 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 600 V 19A (Tc) 156W (Ta) Felületszerelt DPAK
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
A meg nem adott attribútumok megjelenítése
Kategória
Ugs(th) (Max) / Id
5V / 250µA
Gyrt.
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
32 nC @ 10 V
Sorozat
Ugs (Max)
±30V
Csomagolás
Csőtár
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
1080 pF @ 100 V
Alkatrész státusza
Aktív
Teljesítményveszteség (max.)
156W (Ta)
FET típusa
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia
Rögzítés módja
Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss)
600 V
Gyártói tokozás
DPAK
Drain áram (Id) 25°C-on
Tokozás
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
10V
Alap típusszám
Rds On (max.) / Id, Ugs
195mohm / 9,5A, 10V
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Helyettesítő termékek (1)
CikkszámGyártó ELÉRHETŐ MENNYISÉGDigiKey raktári szám Egységár Helyettesítés típusa
TSM60NE285CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation4 9751801-TSM60NE285CPROGCT-ND1 223,65000 FtSimilar
Raktáron: 2 271
A további beérkező áruk ellenőrzése
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
11 269,77000 Ft1 269,77 Ft
10831,65200 Ft8 316,52 Ft
100583,29410 Ft58 329,41 Ft
500477,26078 Ft238 630,39 Ft
1 000443,19840 Ft443 198,40 Ft
3 000399,99552 Ft1 199 986,56 Ft
6 000396,22619 Ft2 377 357,14 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:1 269,77000 Ft
Egységár áfával:1 612,60790 Ft