Name: SIHB33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60E-GE3-ND
Price: 2850.3753 HUF
Availability: OutOfStock

SIHB33N60E-GE3
DigiKey raktári szám	SIHB33N60E-GE3-ND
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIHB33N60E-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Gyártói standard átfutási idő	24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 600 V 33A (Tc) 278W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK)
Adatlap	Adatlap

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	-
Csomagolás	Csőtár
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	600 V
Drain áram (Id) 25°C-on	33A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	99mohm / 16,5A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	150 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±30V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	3508 pF @ 100 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	278W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	TO-263 (D2PAK)
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	SIHB33

Egységár áfa nélkül:	2 244,39000 Ft
Egységár áfával:	2 850,37530 Ft

SIHB33N60E-GE3