


SIHB23N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | SIHB23N60E-GE3-ND |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | SIHB23N60E-GE3 |
Leírás | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
Gyártói standard átfutási idő | 24 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 600 V 23A (Tc) 227W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK) |
Adatlap | Adatlap |
Kategória | Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA |
Gyrt. | Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 95 nC @ 10 V |
Csomagolás Csőtár | Ugs (Max) ±30V |
Alkatrész státusza Aktív | Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2418 pF @ 100 V |
FET típusa | Teljesítményveszteség (max.) 227W (Ta) |
Technológia | Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ) |
Drain-source feszültség (Udss) 600 V | Rögzítés módja Felületszerelt |
Drain áram (Id) 25°C-on | Gyártói tokozás TO-263 (D2PAK) |
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V | Tokozás |
Rds On (max.) / Id, Ugs 158mohm / 12A, 10V | Alap típusszám |
| Cikkszám | Gyártó | ELÉRHETŐ MENNYISÉG | DigiKey raktári szám | Egységár | Helyettesítés típusa |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 1 192 | 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND | 1 549,55000 Ft | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 2 164,45000 Ft | Similar |
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | 3 286 | R6020KNJTLCT-ND | 1 466,54000 Ft | Similar |
| STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 515 | 497-15423-1-ND | 1 229,80000 Ft | Similar |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 1 598,74000 Ft | 1 598,74 Ft |
| 50 | 828,94660 Ft | 41 447,33 Ft |
| 100 | 754,42080 Ft | 75 442,08 Ft |
| 500 | 623,81606 Ft | 311 908,03 Ft |
| 1 000 | 581,87987 Ft | 581 879,87 Ft |
| 2 000 | 546,64149 Ft | 1 093 282,98 Ft |
| 5 000 | 542,26494 Ft | 2 711 324,70 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 1 598,74000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 2 030,39980 Ft |

