Name: SIHB22N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N60ET1-GE3TR-ND
Price: 1889.8362 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIHB22N60ET1-GE3
DigiKey raktári szám	SIHB22N60ET1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SIHB22N60ET1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SIHB22N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIHB22N60ET1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Gyártói standard átfutási idő	24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 600 V 21A (Tc) 227W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK)
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 86 nC @ 10 V
Sorozat E	Ugs (Max) ±30V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1920 pF @ 100 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 227W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 600 V	Gyártói tokozás TO-263 (D2PAK)
Drain áram (Id) 25°C-on 21A (Tc)	Tokozás TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Alap típusszám SIHB22
Rds On (max.) / Id, Ugs 180mohm / 11A, 10V

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Helyettesítő termékek (4)

Cikkszám	Gyártó	ELÉRHETŐ MENNYISÉG	DigiKey raktári szám	Egységár	Helyettesítés típusa
FCB199N65S3	onsemi	578	488-FCB199N65S3CT-ND	1 586,44000 Ft	Similar
IXFA22N65X2	IXYS	4 207	238-IXFA22N65X2-ND	2 164,45000 Ft	Similar
R6020ENJTL	Rohm Semiconductor	2 478	R6020ENJTLCT-ND	1 242,10000 Ft	Similar
STB24N60DM2	STMicroelectronics	515	497-15423-1-ND	1 229,80000 Ft	Similar