
SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | SIHB21N65EF-GE3 |
Leírás | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Gyártói standard átfutási idő | 28 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 650 V 21A (Tc) 208W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK) |
Adatlap | Adatlap |
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyrt. | ||
Sorozat | - | |
Csomagolás | Csőtár | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
FET típusa | ||
Technológia | ||
Drain-source feszültség (Udss) | 650 V | |
Drain áram (Id) 25°C-on | ||
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) | 10V | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 180mohm / 11A, 10V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 4V / 250µA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 106 nC @ 10 V | |
Ugs (Max) | ±30V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 2322 pF @ 100 V | |
FET jellegzetessége | - | |
Teljesítményveszteség (max.) | 208W (Ta) | |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Típusjelölés | - | |
Minősítés | - | |
Rögzítés módja | Felületszerelt | |
Gyártói tokozás | TO-263 (D2PAK) | |
Tokozás | ||
Alap típusszám |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 1 940,01000 Ft | 1 940,01 Ft |
| 50 | 1 022,39420 Ft | 51 119,71 Ft |
| 100 | 933,91010 Ft | 93 391,01 Ft |
| 500 | 778,94918 Ft | 389 474,59 Ft |
| 1 000 | 729,20069 Ft | 729 200,69 Ft |
| 2 000 | 701,75463 Ft | 1 403 509,26 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 1 940,01000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 2 463,81270 Ft |

