N csatornás 800 V 8A (Tc) 78W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK)
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
N csatornás 800 V 8A (Tc) 78W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB11N80AE-GE3

DigiKey raktári szám
742-SIHB11N80AE-GE3-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
SIHB11N80AE-GE3
Leírás
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Gyártói standard átfutási idő
24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 800 V 8A (Tc) 78W (Ta) Felületszerelt TO-263 (D2PAK)
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
SIHB11N80AE-GE3 modellek
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
A meg nem adott attribútumok megjelenítése
Kategória
Ugs(th) (Max) / Id
4V / 250µA
Gyrt.
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
42 nC @ 10 V
Sorozat
Ugs (Max)
±30V
Csomagolás
Csőtár
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
804 pF @ 100 V
Alkatrész státusza
Aktív
Teljesítményveszteség (max.)
78W (Ta)
FET típusa
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia
Rögzítés módja
Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss)
800 V
Gyártói tokozás
TO-263 (D2PAK)
Drain áram (Id) 25°C-on
Tokozás
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
10V
Alap típusszám
Rds On (max.) / Id, Ugs
450mohm / 5,5A, 10V
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Raktáron: 699
A további beérkező áruk ellenőrzése
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
1959,24000 Ft959,24 Ft
10621,35600 Ft6 213,56 Ft
100428,70830 Ft42 870,83 Ft
500346,32398 Ft173 161,99 Ft
1 000319,85253 Ft319 852,53 Ft
2 000297,59623 Ft595 192,46 Ft
5 000273,53273 Ft1 367 663,65 Ft
10 000270,94031 Ft2 709 403,10 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:959,24000 Ft
Egységár áfával:1 218,23480 Ft