Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1690.7002 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIDR680DP-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIDR680DP-T1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 32,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8DC
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 3,4V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 105 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET® Gen IV	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 5150 pF @ 40 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 6,25W (Ta), 125W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Gyártói tokozás PowerPAK® SO-8DC
Drain áram (Id) 25°C-on 32,8A (Ta), 100A (Tc)	Tokozás PowerPAK® SO-8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Alap típusszám SIDR680
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,9mohm / 20A, 10V