Name: SIDR668ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 1550.1366 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIDR668ADP-T1-RE3
DigiKey raktári szám	742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIDR668ADP-T1-RE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIDR668ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIDR668ADP-T1-RE3
Leírás	MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8DC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIDR668ADP-T1-RE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 81 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET® Gen IV	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 3750 pF @ 50 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 6,25W (Ta), 125W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Gyártói tokozás PowerPAK® SO-8DC
Drain áram (Id) 25°C-on 23,3A (Ta), 104A (Tc)	Tokozás PowerPAK® SO-8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Alap típusszám SIDR668
Rds On (max.) / Id, Ugs 4,8mohm / 20A, 10V