Name: SIDR638DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR638DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1196.4035 HUF
Availability: InStock

Gyors kiszállítás

A szállítási helytől függően a rendeléseket Magyarország általában 3 napon belül kiszállítjuk.

Ingyen kiszállítjuk

Ingyenes szállítás Magyarország 15 000 Ft vagy annál nagyobb megrendelések esetén. Minden 15 000 Ftnál kisebb megrendelés esetén 6 000 Ft szállítási költséget számolunk fel.

Incoterms

UPS szállítmány előre fizetve: DDP (a vám és a vámkezelés költsége a DigiKey-t terheli)

FedEx- vagy DHL-szállítmány előre fizetve: CPT (kézbesítéskor fizetendő vám, vámkezelési költség és ÁFA)

Fizetési módok

Hitelszámla arra feljogosított intézmények és vállalatok számára

Előre fizetés átutalással

Apple Pay Google Pay

Marketplace termék

További termékek teljes mértékben felhatalmazott parterektől

Az átlagos szállítási idő 1-3 nap, plusz szállítási költségek merülhetnek fel. A tényleges kiszállítási idő látható a termékoldalon, a kosárban és a pénztárnál.

Incoterms: CPT (kézbesítéskor fizetendő vám, vámkezelési költség és vonatkozó adók)

SIDR638DP-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SIDR638DP-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SIDR638DP-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SIDR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIDR638DP-T1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Gyártói standard átfutási idő	33 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Felületszerelt PowerPAK® SO-8DC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIDR638DP-T1-GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET® Gen IV
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	40 V
Drain áram (Id) 25°C-on	100A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	0,88mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,3V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	204 nC @ 10 V
Ugs (Max)	+20V, -16V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	10500 pF @ 20 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	125W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8DC
Tokozás	PowerPAK® SO-8
Alap típusszám	SIDR638

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
1	942,05000 Ft	942,05 Ft
10	609,82000 Ft	6 098,20 Ft
100	419,86710 Ft	41 986,71 Ft
500	344,18106 Ft	172 090,53 Ft

Egységár áfa nélkül:	942,05000 Ft
Egységár áfával:	1 196,40350 Ft

SIDR638DP-T1-GE3

Információk

Segítség

Kapcsolatfelvétel

Kövessen bennünket