Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 1668.4879 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SIDR510EP-T1-RE3
DigiKey raktári szám	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIDR510EP-T1-RE3
Leírás	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Felületszerelt PowerPAK® SO-8DC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIDR510EP-T1-RE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 3,6mohm / 20A, 10V
Gyrt. Vishay Siliconix	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA
Sorozat TrenchFET® Gen V	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 81 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 4980 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 33A (Ta), 148A (Tc)	Gyártói tokozás PowerPAK® SO-8DC
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Tokozás PowerPAK® SO-8