Name: SI8816EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8816EDB-T2-E1TR-ND
Price: 269.4178 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI8816EDB-T2-E1
DigiKey raktári szám	SI8816EDB-T2-E1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI8816EDB-T2-E1CT-ND - Vágott szalag (CT) SI8816EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI8816EDB-T2-E1
Leírás	MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Gyártói standard átfutási idő	17 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 30 V 1,5A (Ta) 500mW (Ta) Felületszerelt 4-Microfoot
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 1,4V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 8 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET®	Ugs (Max) ±12V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 195 pF @ 15 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 500mW (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 30 V	Gyártói tokozás 4-Microfoot
Drain áram (Id) 25°C-on 1,5A (Ta)	Tokozás 4-XFBGA
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Alap típusszám SI8816
Rds On (max.) / Id, Ugs 109mohm / 1A, 10V

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 43 283

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)