Name: SI7820DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7820DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1175.2834 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI7820DN-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SI7820DN-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI7820DN-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI7820DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI7820DN-T1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gyártói standard átfutási idő	38 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 200 V 1,7A (Ta) 1,5W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 1212-8
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 240mohm / 2,6A, 10V
Gyrt. Vishay Siliconix	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 250µA
Sorozat TrenchFET®	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 18 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 1,5W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 200 V	Gyártói tokozás PowerPAK® 1212-8
Drain áram (Id) 25°C-on 1,7A (Ta)	Tokozás PowerPAK® 1212-8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Alap típusszám SI7820