Name: SI7615DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7615DN-T1-GE3TR-ND
Price: 909.7772 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI7615DN-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SI7615DN-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI7615DN-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI7615DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI7615DN-T1-GE3
Leírás	MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Gyártói standard átfutási idő	38 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 20 V 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® 1212-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SI7615DN-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 1,5V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 183 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET®	Ugs (Max) ±12V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 6000 pF @ 10 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 3,7W (Ta), 52W (Ta)
FET típusa P-csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 20 V	Gyártói tokozás PowerPAK® 1212-8
Drain áram (Id) 25°C-on 35A (Tc)	Tokozás PowerPAK® 1212-8
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Alap típusszám SI7615
Rds On (max.) / Id, Ugs 3,9mohm / 20A, 10V