SI4936BDY-T1-GE3 elavult és már nem gyártják.
Elérhető helyettesítő alkatrészek:

Similar


Rohm Semiconductor
Raktáron: 0
Egységár : 135,41328 Ft
Adatlap

Similar


Rohm Semiconductor
Raktáron: 1 703
Egységár : 830,12000 Ft
Adatlap

Similar


Diodes Incorporated
Raktáron: 1 413
Egységár : 691,76000 Ft
Adatlap
MOSFET tömb 30V 6,9A 2,8W Felületszerelt 8-SOIC
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI4936BDY-T1-GE3

DigiKey raktári szám
SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR)
SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT)
SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó
Gyártói cikkszám
SI4936BDY-T1-GE3
Leírás
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Vevői azonosító
Részletes leírás
MOSFET tömb 30V 6,9A 2,8W Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
Kategória
Rds On (max.) / Id, Ugs
35mohm / 5,9A, 10V
Gyártó
Vishay Siliconix
Ugs(th) (Max) / Id
3V / 250µA
Sorozat
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
15nC / 10V
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Vágott szalag (CT)
Digi-Reel®
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
530pF / 15V
Alkatrész státusza
Elavult
Max. teljesítmény
2,8W
Technológia
MOSFET (fémoxid)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguráció
2 N csatornás (dupla)
Rögzítés módja
Felületszerelt
FET jellegzetessége
logikai FET
Tokozás
8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Drain-source feszültség (Udss)
30V
Gyártói tokozás
8-SOIC
Drain áram (Id) 25°C-on
6,9A
Alap típusszám
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Helyettesítő termékek (3)
CikkszámGyártó ELÉRHETŐ MENNYISÉGDigiKey raktári szám Egységár Helyettesítés típusa
SH8K12TB1Rohm Semiconductor0SH8K12TB1-ND135,41328 FtSimilar
SH8K4TB1Rohm Semiconductor1 703SH8K4TB1CT-ND830,12000 FtSimilar
ZXMN3A06DN8TADiodes Incorporated1 413ZXMN3A06DN8CT-ND691,76000 FtSimilar
Elavult
Ezt a terméket már nem gyártják. Helyettesítő alkatrészek megtekintése.