SI4900DY-T1-GE3 elavult és már nem gyártják.
Elérhető helyettesítő alkatrészek:

Paraméterek tekintetében egyenértékű


Vishay Siliconix
Raktáron: 234
Egységár : 600,10000 Ft
Adatlap

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Raktáron: 0
Egységár : 74,34504 Ft
Adatlap

Similar


Rohm Semiconductor
Raktáron: 4 288
Egységár : 767,72000 Ft
Adatlap

Similar


STMicroelectronics
Raktáron: 4 991
Egységár : 925,29000 Ft
Adatlap

Similar


STMicroelectronics
Raktáron: 1 660
Egységár : 616,86000 Ft
Adatlap

Similar


Diodes Incorporated
Raktáron: 944
Egységár : 643,68000 Ft
Adatlap
MOSFET tömb 60V 5,3A 3,1W Felületszerelt 8-SOIC
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI4900DY-T1-GE3

DigiKey raktári szám
SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR)
SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT)
SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó
Gyártói cikkszám
SI4900DY-T1-GE3
Leírás
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Vevői azonosító
Részletes leírás
MOSFET tömb 60V 5,3A 3,1W Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyártó
Vishay Siliconix
Sorozat
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Vágott szalag (CT)
Digi-Reel®
Alkatrész státusza
Elavult
Technológia
MOSFET (fémoxid)
Konfiguráció
2 N csatornás (dupla)
FET jellegzetessége
logikai FET
Drain-source feszültség (Udss)
60V
Drain áram (Id) 25°C-on
5,3A
Rds On (max.) / Id, Ugs
58mohm / 4,3A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id
3V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
20nC / 10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
665pF / 15V
Max. teljesítmény
3,1W
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rögzítés módja
Felületszerelt
Tokozás
8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Gyártói tokozás
8-SOIC
Alap típusszám
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Elavult
Ezt a terméket már nem gyártják. Helyettesítő alkatrészek megtekintése.