Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 987.8695 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI4816BDY-T1-E3
DigiKey raktári szám	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI4816BDY-T1-E3
Leírás	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Gyártói standard átfutási idő	38 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	MOSFET tömb 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SI4816BDY-T1-E3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET- és MOSFET-tömbök	Rds On (max.) / Id, Ugs 18,5mohm / 6,8A, 10V
Gyártó Vishay Siliconix	Ugs(th) (Max) / Id 3V / 250µA
Sorozat LITTLE FOOT®	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 10nC / 5V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Max. teljesítmény 1W, 1,25W
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Konfiguráció 2 N csatornás (félhíd)	Tokozás 8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
FET jellegzetessége logikai FET	Gyártói tokozás 8-SOIC
Drain-source feszültség (Udss) 30V	Alap típusszám SI4816
Drain áram (Id) 25°C-on 5,8A, 8,2A