Name: SI4190BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1210.437 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI4190BDY-T1-GE3
DigiKey raktári szám	742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SI4190BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI4190BDY-T1-GE3
Leírás	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc) Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SI4190BDY-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 250µA
Gyrt. Vishay Siliconix	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 95 nC @ 10 V
Sorozat TrenchFET®	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 4150 pF @ 50 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Gyártói tokozás 8-SOIC
Drain áram (Id) 25°C-on 12A (Ta), 17A (Tc)	Tokozás 8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Alap típusszám SI4190
Rds On (max.) / Id, Ugs 9,3mohm / 10A, 10V