Name: SI3460DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 281.0129 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI3460DDV-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI3460DDV-T1-GE3
Leírás	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Gyártói standard átfutási idő	13 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 20 V 7,9A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Ta) Felületszerelt 6-TSOP
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SI3460DDV-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	20 V
Drain áram (Id) 25°C-on	7,9A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) / Id, Ugs	28mohm / 5,1A, 4,5V
Ugs(th) (Max) / Id	1V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	18 nC @ 8 V
Ugs (Max)	±8V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	666 pF @ 10 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	1,7W (Ta), 2,7W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	6-TSOP
Tokozás	SOT-23-6 vékony, TSOT-23-6
Alap típusszám	SI3460

A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 5 773

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)