Name: SI2323DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2323DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 355.3206 HUF
Availability: OutOfStock

SI2323DDS-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SI2323DDS-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI2323DDS-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI2323DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI2323DDS-T1-GE3
Leírás	MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Gyártói standard átfutási idő	38 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 20 V 5,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Ta) Felületszerelt SOT-23
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SI2323DDS-T1-GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	20 V
Drain áram (Id) 25°C-on	5,3A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) / Id, Ugs	39mohm / 4,1A, 4,5V
Ugs(th) (Max) / Id	1V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	36 nC @ 8 V
Ugs (Max)	±8V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1160 pF @ 10 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	960mW (Ta), 1,7W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	SOT-23
Tokozás	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Alap típusszám	SI2323

Egységár áfa nélkül:	279,78000 Ft
Egységár áfával:	355,32060 Ft

SI2323DDS-T1-GE3