Name: BYM10-1000HE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-BYM10-1000HE3_A/ITR-ND
Price: 144.49496 HUF
Availability: OutOfStock

dióda 1000 V 1A Felületszerelt DO-213AB (MELF)

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

BYM10-1000HE3_A/I
DigiKey raktári szám	112-BYM10-1000HE3_A/ITR-ND - Szalag tekercsen (TR)
Gyártó	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Gyártói cikkszám	BYM10-1000HE3_A/I
Leírás	DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Gyártói standard átfutási idő	16 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	dióda 1000 V 1A Felületszerelt DO-213AB (MELF)
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Diódák Egyenirányítók Diódák	Sebesség Standard helyreállítás >500ns, > 200mA (Io)
Gyrt. Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Visszáram Ur-nél 10 µA @ 1000 V
Sorozat Superectifier®	Kapacitás / Ur, F 8pF / 4V, 1MHz
Csomagolás Szalag tekercsen (TR)	Típusjelölés autóipar
Alkatrész státusza Aktív	Minősítés AEC-Q101
Technológia standard	Rögzítés módja Felületszerelt
DC zárófeszültség (Ur) (max.) 1000 V	Tokozás DO-213AB, MELF
Vezetési áram (Io) 1A	Gyártói tokozás DO-213AB (MELF)
Nyitóirányú feszültség (Uf) (max.) / If 1.2 V @ 1 A	Üzemi hőmérséklet (átmenet) -65°C ~ 175°C