Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 1210.437 HUF
Availability: OutOfStock

N csatornás 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Ta) Felületszerelt 8-SOP Advance (5x5)

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

XPH2R106NC,L1XHQ
DigiKey raktári szám	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Szalag tekercsen (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Vágott szalag (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	XPH2R106NC,L1XHQ
Leírás	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Gyártói standard átfutási idő	32 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Ta) Felületszerelt 8-SOP Advance (5x5)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	XPH2R106NC,L1XHQ modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 104 nC @ 10 V
Gyrt. Toshiba Semiconductor and Storage	Ugs (Max) ±20V
Sorozat U-MOSVIII-H	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 6900 pF @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 960mW (Ta), 170W (Ta)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet 175°C
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 60 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 110A (Ta)	Gyártói tokozás 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,1mohm / 55A, 10V	Tokozás 8-VDFN
Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 1mA	Alap típusszám XPH2R106