N csatornás 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furatszerelt TO-247
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
N csatornás 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furatszerelt TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

DigiKey raktári szám
264-TW083N65CS1F-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
TW083N65C,S1F
Leírás
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Gyártói standard átfutási idő
24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furatszerelt TO-247
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
A meg nem adott attribútumok megjelenítése
Kategória
Ugs(th) (Max) / Id
5V / 600µA
Gyrt.
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
28 nC @ 18 V
Csomagolás
Csőtár
Ugs (Max)
+25V, -10V
Alkatrész státusza
Aktív
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
873 pF @ 400 V
FET típusa
Teljesítményveszteség (max.)
111W (Tc)
Technológia
Üzemi hőmérséklet
175°C
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Rögzítés módja
Furatszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on
Gyártói tokozás
TO-247
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
18V
Tokozás
Rds On (max.) / Id, Ugs
113mohm při 15A, 18V
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Raktáron: 0
Ellenőrizze az átfutási időt.
Értesítést kérek a készletállapotról
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
15 521,80000 Ft5 521,80 Ft
303 416,48700 Ft102 494,61 Ft
1202 955,56808 Ft354 668,17 Ft
5102 774,35043 Ft1 414 918,72 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:5 521,80000 Ft
Egységár áfával:7 012,68600 Ft