TK125N60Z1,S1F
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

DigiKey raktári szám
264-TW083N65CS1F-ND
Gyártó
Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám
TW083N65C,S1F
Leírás
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Gyártói standard átfutási idő
24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furatszerelt TO-247
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Toshiba Semiconductor and Storage
Sorozat
-
Csomagolás
Csőtár
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Drain áram (Id) 25°C-on
30A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
113mohm při 15A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
5V / 600µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
28 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+25V, -10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
873 pF @ 400 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
111W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
175°C
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Furatszerelt
Gyártói tokozás
TO-247
Tokozás
TO-247-3
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 112
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
15 457,87000 Ft5 457,87 Ft
303 377,19667 Ft101 315,90 Ft
1203 025,21217 Ft363 025,46 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:5 457,87000 Ft
Egységár áfával:6 931,49490 Ft