TK125N60Z1,S1F
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW060N120C,S1F

DigiKey raktári szám
264-TW060N120CS1F-ND
Gyártó
Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám
TW060N120C,S1F
Leírás
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Gyártói standard átfutási idő
24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 1200 V 36A (Tc) 170W (Ta) Furatszerelt TO-247
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Toshiba Semiconductor and Storage
Sorozat
-
Csomagolás
Csőtár
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)
1200 V
Drain áram (Id) 25°C-on
36A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
78mohm při 18A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
5V / 4,2mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
46 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+25V, -10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
1530 pF @ 800 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
170W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
175°C
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Furatszerelt
Gyártói tokozás
TO-247
Tokozás
TO-247-3
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 39
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
17 697,34000 Ft7 697,34 Ft
304 908,84233 Ft147 265,27 Ft
1204 694,33817 Ft563 320,58 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:7 697,34000 Ft
Egységár áfával:9 775,62180 Ft