Name: TW031V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW031V65CLQTR-ND
Price: 15938.6397 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

TW031V65C,LQ
DigiKey raktári szám	264-TW031V65CLQTR-ND - Szalag tekercsen (TR) 264-TW031V65CLQCT-ND - Vágott szalag (CT) 264-TW031V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	TW031V65C,LQ
Leírás	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
Gyártói standard átfutási idő	24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 53A (Tc) 156W (Ta) Felületszerelt 4-DFN-EP (8x8)
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 5V / 3mA
Gyrt. Toshiba Semiconductor and Storage	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 65 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +25V, -10V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2288 pF @ 400 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 156W (Ta)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet 175°C
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 53A (Tc)	Gyártói tokozás 4-DFN-EP (8x8)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 18V	Tokozás 4-VSFN szabadon lévő kontaktus
Rds On (max.) / Id, Ugs 45mOhm / 29A, 18V