TK125N60Z1,S1F
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW030N120C,S1F

DigiKey raktári szám
264-TW030N120CS1F-ND
Gyártó
Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám
TW030N120C,S1F
Leírás
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Gyártói standard átfutási idő
24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Furatszerelt TO-247
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Toshiba Semiconductor and Storage
Sorozat
-
Csomagolás
Csőtár
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)
1200 V
Drain áram (Id) 25°C-on
60A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
40mohm při 30A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
5V / 13mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
82 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+25V, -10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
2925 pF @ 800 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
249W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
175°C
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Furatszerelt
Gyártói tokozás
TO-247
Tokozás
TO-247-3
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 40
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
112 769,67000 Ft12 769,67 Ft
308 867,36267 Ft266 020,88 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:12 769,67000 Ft
Egységár áfával:16 217,48090 Ft