Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 581.787 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

TPN1600ANH,L1Q
DigiKey raktári szám	TPN1600ANHL1QTR-ND - Szalag tekercsen (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Vágott szalag (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	TPN1600ANH,L1Q
Leírás	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Gyártói standard átfutási idő	16 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Ta) Felületszerelt 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	TPN1600ANH,L1Q modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 200µA
Gyrt. Toshiba Semiconductor and Storage	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 19 nC @ 10 V
Sorozat U-MOSVIII-H	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1600 pF @ 50 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 700mW (Ta), 42W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Gyártói tokozás 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Drain áram (Id) 25°C-on 17A (Tc)	Tokozás 8-VDFN
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Alap típusszám TPN1600
Rds On (max.) / Id, Ugs 16mohm / 8,5A, 10V

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 1 426

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®