Name: TK200F04N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK200F04N1LLXGQTR-ND
Price: 1889.8362 HUF
Availability: InStock

N csatornás 40 V 200A (Ta) 375W (Ta) Felületszerelt TO-220SM(W)

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

TK200F04N1L,LXGQ
DigiKey raktári szám	264-TK200F04N1LLXGQTR-ND - Szalag tekercsen (TR) 264-TK200F04N1LLXGQCT-ND - Vágott szalag (CT) 264-TK200F04N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	TK200F04N1L,LXGQ
Leírás	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Gyártói standard átfutási idő	32 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 40 V 200A (Ta) 375W (Ta) Felületszerelt TO-220SM(W)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	TK200F04N1L,LXGQ modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 214 nC @ 10 V
Gyrt. Toshiba Semiconductor and Storage	Ugs (Max) ±20V
Sorozat U-MOSVIII-H	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 14920 pF @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 375W (Ta)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet 175°C
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 40 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 200A (Ta)	Gyártói tokozás TO-220SM(W)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Tokozás TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Rds On (max.) / Id, Ugs 0,9mohm / 100A, 10V	Alap típusszám TK200F04
Ugs(th) (Max) / Id 3V / 1mA