Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 948.817 HUF
Availability: InStock

P-csatornás 60 V 30A (Ta) 68W (Ta) Felületszerelt DPAK+

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
DigiKey raktári szám	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Szalag tekercsen (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Vágott szalag (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Leírás	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Gyártói standard átfutási idő	12 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 60 V 30A (Ta) 68W (Ta) Felületszerelt DPAK+
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	TJ30S06M3L(T6L1,NQ modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 3V / 1mA
Gyrt. Toshiba Semiconductor and Storage	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 80 nC @ 10 V
Sorozat U-MOSVI	Ugs (Max) +10V, -20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 3950 pF @ 10 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 68W (Ta)
FET típusa P-csatornás	Üzemi hőmérséklet 175°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 60 V	Gyártói tokozás DPAK+
Drain áram (Id) 25°C-on 30A (Ta)	Tokozás TO-252-3, DPAK (2 kivezetés + fül), SC-63
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Alap típusszám TJ30S06
Rds On (max.) / Id, Ugs 21,8mohm / 15A, 10V