Name: TJ15P04M3,RQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ15P04M3RQ(STR-ND
Price: 689.7497 HUF
Availability: OutOfStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

TJ15P04M3,RQ(S
DigiKey raktári szám	264-TJ15P04M3RQ(STR-ND - Szalag tekercsen (TR) 264-TJ15P04M3RQ(SCT-ND - Vágott szalag (CT) 264-TJ15P04M3RQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	TJ15P04M3,RQ(S
Leírás	MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Gyártói standard átfutási idő	16 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 40 V 15A (Ta) 29W (Ta) Felületszerelt DPAK
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	TJ15P04M3,RQ(S modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sorozat	U-MOSVI
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	40 V
Drain áram (Id) 25°C-on	15A (Ta)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	36mohm / 7,5A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2V / 100µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	26 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1100 pF @ 10 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	29W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	DPAK
Tokozás	TO-252-3, DPAK (2 kivezetés + fül), SC-63
Alap típusszám	TJ15P04