Name: RN1117MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1117MFV,L3FTR-ND
Price: 66.3829 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

RN1117MFV,L3F
DigiKey raktári szám	264-RN1117MFV,L3FTR-ND - Szalag tekercsen (TR) 264-RN1117MFV,L3FCT-ND - Vágott szalag (CT) 264-RN1117MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Toshiba Semiconductor and Storage
Gyártói cikkszám	RN1117MFV,L3F
Leírás	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Gyártói standard átfutási idő	12 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	Előfeszített bipoláris tranzisztor NPN - előfeszített 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Felületszerelt VESM
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	RN1117MFV,L3F modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok Bipoláris (BJT) tranzisztorok Előfeszített bipoláris tranzisztorok	DC áramerősítés (hFE) (min.) / Ic, Uce 30 / 10mA, 5V
Gyártó Toshiba Semiconductor and Storage	Uce(sat) (max.) / Ib, Ic 300mV / 500µA, 5mA
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Max. kollektor-maradékáram 500nA
Alkatrész státusza Aktív	Tranzitfrekvencia 250 MHz
Tranzisztor típusa NPN - előfeszített	Max. teljesítmény 150 mW
Max. kollektoráram (Ic) 100 mA	Rögzítés módja Felületszerelt
Kollektor-emitter letörési feszültség (max.) 50 V	Tokozás SOT-723
Érintett ellenállások R1 és R2	Gyártói tokozás VESM
Bázisellenállás (R1) 10 kOhms	Alap típusszám RN1117
Bázis-emitter ellenállás (R2) 4.7 kOhms

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 7 966

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)

Gyártói standard kiszerelés

Egységár áfa nélkül:	52,27000 Ft
Egységár áfával:	66,38290 Ft

RN1117MFV,L3F