
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyártó | SemiQ | |
Sorozat | ||
Csomagolás | Doboz | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
Technológia | Szilícium-karbid (SiC) | |
Konfiguráció | 2 N csatornás (félhíd) | |
FET jellegzetessége | - | |
Drain-source feszültség (Udss) | 1200V (1,2kV) | |
Drain áram (Id) 25°C-on | 56A (Tc) | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 52mohm / 40A, 20V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 4V / 10mA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 120nC / 20V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 3200pF / 800V | |
Max. teljesítmény | 217W (Ta) | |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Típusjelölés | - | |
Minősítés | - | |
Rögzítés módja | lemezre szerelhető | |
Tokozás | modul | |
Gyártói tokozás | - |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 17 069,62000 Ft | 17 069,62 Ft |
| 10 | 12 935,65100 Ft | 129 356,51 Ft |
| 100 | 11 475,57130 Ft | 1 147 557,13 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 17 069,62000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 21 678,41740 Ft |


