MOSFET tömb 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Ta) lemezre szerelhető
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

GCMX010A120B3H1P

DigiKey raktári szám
1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Gyártó
SemiQ
Gyártói cikkszám
GCMX010A120B3H1P
Leírás
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Gyártói standard átfutási idő
22 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
MOSFET tömb 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Ta) lemezre szerelhető
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyártó
SemiQ
Sorozat
QSiC™
Csomagolás
Doboz
Alkatrész státusza
Aktív
Technológia
Szilícium-karbid (SiC)
Konfiguráció
4 N-csatornás (teljes híd)
FET jellegzetessége
-
Drain-source feszültség (Udss)
1200V (1,2kV)
Drain áram (Id) 25°C-on
201A (Tc)
Rds On (max.) / Id, Ugs
14mohm / 100A, 20V
Ugs(th) (Max) / Id
4V / 40mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
428nC / 20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
10900pF / 800V
Max. teljesítmény
600W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-40°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
lemezre szerelhető
Tokozás
modul
Gyártói tokozás
-
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 17
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Doboz
Mennyiség Egységár Részösszeg
144 697,08000 Ft44 697,08 Ft
1036 586,55000 Ft365 865,50 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Egységár áfa nélkül:44 697,08000 Ft
Egységár áfával:56 765,29160 Ft
Ez is érdekelhetiMutasd mind
4 árucikk
NXH007F120M3F2PTHG

NXH007F120M3F2PTHG

MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM

onsemi

52 288,02000 Ft
GCMX016B120B3H1P

GCMX016B120B3H1P

GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M

SemiQ

16 903,60000 Ft
GCMX010A120B2B1P

GCMX010A120B2B1P

MOSFET 2N-CH 1200V 214A

SemiQ

27 003,33000 Ft
GCMX005A120B3B1P

GCMX005A120B3B1P

MOSFET 4N-CH 1200V 383A

SemiQ

40 835,51000 Ft